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年氢能产（e）在不同栅极电压下的突触响应行为。业投（c）巴浦洛夫的狗条件反射实验仿生结果。

（h）调节铁电极性控制石墨烯导电载流子类型，资超最多浙江最实现具有空穴或电子导电互补作用的突触。千亿（f）MoS2光电异源突触的高通和低通滤波器功能的示意图。广东（c）通过施加0.15V的脉冲和0.6s的重复间隔来模拟长期可塑性。

图六、项目基于MoTe2结构相变的忆阻行为（a）垂直TMD器件的示意图以及光学和SEM图像，其中Ti/Ni、Ti/Au和SiO2薄膜分别用作顶部电极、底部电极和隔离层。投入（c）光学模拟STDP的两个BP突触器件的示意图。

河北（c）通过CVD直接合成的金属过渡金属二卤化物（m-TMDs）和半导体TMD（s-TMDs）之间的范德华阵列。

分别于2007年2012年获得南开大学学士及博士学位，亮点毕业后在日本东北大学及新加坡南洋理工大学从事博士后研究工作。设计一个初始的微观结构将在这种情况下发生变化，上半可以显着改善其疲劳性能图7具有明显的无沉淀区（PFZ）的空气淬火（AQ）AA2024，上半AA7050和AA6061合金的表面演变。

年氢能产作者在以下三种条件下进行了Ti-7Al的拉伸测试：（1）无电流（室温下）。美国约翰·霍普金斯大学StevenLavenstein教授团队在微米级Ni单晶体中（一种典型的面心立方晶体）设计了一种高周疲劳实验，业投成功复制了PSB形成的必要条件，业投对利用高分辨透射对PSBs进行原位观察和表征。

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